CMP

Das chemisch-mechanische Planarizing (CMP), häufig auch chemisch-mechanisches Polieren genannt, ist ein Verfahren, um dünne Schichten einzuebnen. CMP wurde ursprünglich für den Einsatz bei halbleitertypischen Werkstoffen entwickelt, finden aber immer häufiger auch bei der Fertigung von Mikrosystemen Verwendung. Unverzichtbar ist CMP bei Low K-Materialien und  in Fabrikation befindlichen Wafern, deren Oberfläche aus einem Werkstoffverbund aus beispielsweise zwei Werkstoffen besteht. Auf Grund unterschiedlicher Härte und Elektrizität der beiden Werkstoffe würde eine rein mechanische Bearbeitung hier zu Stufen an den Werkstoffübergängen führen.

≤ 200 mm

High Performance CMP Technologie für die Volumen-Produktion von Wafern mit 200 mm Durchmesser. Wird zusammen mit der Montage der Waferloaders zu einer vollautomatischen Einheit.

 ChaMP 211/232

≤ 300 mm

Kompakt, modular und zuverlässig. Für 300 mm Wafer mit höchster Oberflächengüte. Neben dem Waferloader kann auch eine Cleaning Unit zum präzisen Reinigen integriert werden.

 ChaMP 311/332

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