CMP

Beim CMP werden chemische und mechanische Einwirkungen kombiniert, um die Waferoberfläche zu glätten und plan zu machen. CMP ist also eine Kreuzung zwischen Ätzen und mechanischem Schleifen. Wichtig ist das CMP vor allem bei Wafern, die aus vielen verschiedenen Lagen bestehen. Denn bei vielen Lagen wird die Oberfläche immer unebener. Mithilfe der CMP-Technologie können mikroskopische Unebenheiten bis auf 0,3 nm beseitigt werden. Durch die makellose Oberfläche wird das Aufdrucken der integrieren Schaltungskreise im späteren Lithographieprozess zudem erheblich erleichtert.

≤ 200 mm

High Performance CMP Technologie für die Volumen-Produktion von Wafern mit 200 mm Durchmesser. Wird zusammen mit der Montage der Waferloaders zu einer vollautomatischen Einheit.

 ChaMP 211/232

≤ 300 mm

Kompakt, modular und zuverlässig. Für 300 mm Wafer mit höchster Oberflächengüte. Neben dem Waferloader kann auch eine Cleaning Unit zum präzisen Reinigen integriert werden.

 ChaMP 311/332

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